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英文全称:Ge-on-insulator,
用途:主要是用于Ge光波导探测器。Ge比硅的好处是,迁移率高,通常用于高频器件制作等领域。
结构为:Si+sio2+Ge
可按照客户要求加工,请与哈尔滨特博科技有限公司联系
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